OSG90R1K2KF TO-263 N溝道 900V 5AMOS管場(chǎng)效應(yīng)管
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
數(shù)量 16800
Drain-source voltage 900
Continuous drain current1), TC=25 °C 5
Continuous drain current1), TC=100 °C 3.2
Pulsed drain current2), TC=25 °C 15
Continuous diode forward current1), TC=25 °C 5
Diode pulsed current2), TC=25 °C 15
Power dissipation3) , TC=25 °C 83
Single pulsed avalanche energy5) 193
MOSFET dv/dt ruggedness, VDS=0…480 V 50
Reverse diode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID 15
Operation and storage temperature -55 to 150
Thermal resistance, junction-case 1.5
Thermal resistance, junction-ambient4) 62
Drain-source leakage current 10
Gate threshold voltage 2.0
型號(hào) OSG90R1K2KF
品牌 東微
批號(hào) 新批號(hào)
封裝 TO-263
交易說(shuō)明 公司現(xiàn)貨 深圳倉(cāng)
QQ 1030918574
商品介紹

OSG90R1K2KF TO-263 N溝道 900V 5AMOS管場(chǎng)效應(yīng)管

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公司名稱 深圳市茂森源科技有限公司
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