HUSTEC華科智源科
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HUSTEC華科智源科
主營產品: 功率器件參數(shù)測試儀, 雪崩能量測試儀, 柵極電容測試系統(tǒng), 柵極電阻測試儀, 晶體管圖示儀, 分立器件測試儀, 浪涌電流測試儀, 元器件失效分析設備, 器件測試服務, 雙脈沖測試系統(tǒng)
IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀
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HUSTEC華科智源
HUSTEC-1600A-MT
IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀
一:IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀主要特點
華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試600A(可擴展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應用于軌道交通,電動汽車 ,風力發(fā)電,變頻器,焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設備還可以用于變頻器,風電,軌道交通,電焊機等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進行單獨測試,可實現(xiàn)在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機里設置參數(shù)直接測試,又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試;
IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀測試參數(shù):
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向導通壓降
整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用。
二:華科智源IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀應用范圍
A:IGBT單管及模塊,
B:大功率場效應管(Mosfet)
C:大功率二極管
D:標準低阻值電阻
E:軌道交通,風力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機等行業(yè)篩選以及在線故障檢測
三、華科智源IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試儀特征:
A:測量多種IGBT、MOS管
B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣;
C:脈沖寬度 50uS~300uS
D:Vce測量精度2mV
E:Vce測量范圍>10V
F:電腦圖形顯示界面
G:智能保護被測量器件
H:上位機攜帶數(shù)據(jù)庫功能
I:MOS IGBT內部二極管壓降
J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)
K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)
L:可以進行不同曲線的對比,觀測同一批次產品的曲線狀態(tài),或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比;
序號 | 測試項目 | 描述 | 測量范圍 | 分辨率 | 精度 |
1 | VF | 二極管正向導通壓降 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
2 | IF | 二極管正向導通電流 | 0~1200A | ≤200A時,0.1A | ≤200A時,±1%±0.1A |
3 | >200A時,1A | >200A時,±1% | |||
4 | Vces | 集電極-發(fā)射極電壓 | 0~5000V | 1V | ±1%,±1V |
5 | Ic | 通態(tài)集電極電流 | 0~1200A | ≤200A時,0.1A | ≤200A時,±1%±0.1A |
6 | >200A時,1A | >200A時,±1% | |||
7 | Ices | 集電極-發(fā)射極漏電流 | 0~50mA | 1nA | ±1%,±10μA |
8 | Vgeth | 柵極-發(fā)射極閾值電壓 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
9 | Vcesat | 集電極-發(fā)射極飽和電壓 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
10 | Igesf | 正向柵極漏電流 | 0~10uA | 1nA | ±2%,±1nA |
11 | Igesr | 反向柵極漏電流 | |||
12 | Vges | 柵極發(fā)射極電壓 | 0~40V | 1mV | ±1%,±1mV |
測試參數(shù):
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向導通壓降
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用
1) 物理規(guī)格
設備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm;
質量:30kg
2) 環(huán)境要求
海拔高度:海拔不超過 1000m;
儲存環(huán)境:-20℃~50℃;
工作環(huán)境:15℃~40℃。
相對濕度:20%RH ~ 85%RH ;
大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa。
防護:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導電粉塵等空氣污染的損害;
3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%;
電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz