高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機是在高真空條件下，采用電子束轟擊材料加熱蒸發(fā)的方法，在襯底上鍍制各種金屬、氧化物、導電薄膜、光學薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等；可鍍制混合物單層膜、多層膜或摻雜膜；可鍍各種高熔點材料?？捎糜谏a(chǎn)、科學實驗及教學，可根據(jù)用戶要求專門訂制。

可根據(jù)用戶使用要求，選配石英晶體膜厚自動控制及光學膜厚自動控制兩種方式，通過PLC和工控機聯(lián)合實現(xiàn)對整個鍍膜過程的全程自動控制，包括真空系統(tǒng)、烘烤系統(tǒng)、蒸發(fā)過程和膜層厚度的監(jiān)控功能等，從而提高了工作效率和保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和穩(wěn)定性。

真空性能

極限真空：7×10^-5Pa～7×10^-6Pa

設備總體漏放率：關(guān)機12小時，≤10Pa

恢復工作真空時間短，大氣至7×10^-4Pa≤30分鐘

設備構(gòu)成

-E型電子束蒸發(fā)槍

-電阻熱蒸發(fā)源組件（可選配）

-樣品掩膜擋板系統(tǒng)

-真空獲得系統(tǒng)及真空測量系統(tǒng)

-分子泵真空機組或低溫泵真空機組

-旋轉(zhuǎn)基片加熱臺

-工作氣路

-樣品傳遞機構(gòu)

-膜厚控制系統(tǒng)

-電控系統(tǒng)

-恒溫冷卻水系統(tǒng)

-膜厚監(jiān)控儀（可選件）

-恒溫制冷水箱（可選件）

設備特點

-真空度高

-抽速快

-基片裝卸方便

-配備E型電子束蒸發(fā)源和電阻蒸發(fā)源

PID自動控溫，具有成膜均勻、放氣量小和溫度均勻的優(yōu)點

熱蒸發(fā)源種類及配置

熱蒸發(fā)源配置

電阻熱蒸發(fā)源種類

-鉭（鎢或鉬）金屬舟熱蒸發(fā)源組件

-石英舟熱蒸發(fā)源組件

-鎢極或鎢藍熱蒸發(fā)源組件

-束源爐熱蒸發(fā)組件（配石英坩堝或氮化硼坩堝）

-鉭爐熱蒸發(fā)源組件（配氮化硼坩堝或陶瓷坩堝）

操作方式

手動、半自動

關(guān)于鵬城半導體

鵬城半導體技術(shù)（深圳）有限公司（簡稱鵬城半導體），由哈爾濱工業(yè)大學（深圳）與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿與市場前沿的交叉點，尋求創(chuàng)新引領與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務是微納技術(shù)與高端精密制造，具體應用領域包括半導體材料、半導體工藝和半導體裝備的研發(fā)設計和生產(chǎn)制造。

公司人才團隊知識結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業(yè)界的高級裝備設計師團隊，他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術(shù)研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學（深圳），具備先進的半導體研發(fā)設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司已投放市場的部分半導體設備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機、離子束濺射鍍膜機、磁控與離子束復合鍍膜機

|化學氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、熱絲CVD、ICPECVD、等離子刻蝕機、等離子清洗機

|超高真空系列

分子束外延系統(tǒng)（MBE）、激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）

|成套設備

團簇式太陽能薄膜電池中試線、OLED中試設備（G1、G2.5）

|其他

金剛石薄膜制備設備、合金退火爐、硬質(zhì)涂層設備、磁性薄膜設備、電極制備設備

|真空鍍膜機專用電源/真空鍍膜機控制系統(tǒng)及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源（中頻可調(diào)脈寬）

控制系統(tǒng)及軟件

團隊部分業(yè)績分布

完全自主設計制造的分子束外延（MBE）設備，包括自主設計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數(shù)）、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達到2×10^-8Pa。

設備于2005年在浙江大學光學儀器國家重點實驗室投入使用，至今仍在正常使用。

設計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術(shù)聯(lián)合系統(tǒng)，應用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

設計制造了金剛石薄膜制備設備，應用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產(chǎn)設備。現(xiàn)使用單位中科院金屬研究所。

設計制造了全自動磁控濺射設備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位國家光電實驗室。

設計制造了OLED有機半導體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備。現(xiàn)使用單位香港城市大學先進材料實驗室。

設計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實現(xiàn)LED無機半導體發(fā)光材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位南昌大學國家硅基LED工程技術(shù)研究中心。

設計制造了磁控濺射研究型設備?，F(xiàn)使用單位浙江大學半導體所。

設計制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設備。現(xiàn)使用單位武漢理工大學。

團隊在第三代半導體裝備及工藝方面的技術(shù)積累

2001年    與南昌大學合作

設計了中試型的全自動化監(jiān)控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。

2005年    與浙江大學光學儀器國家重點實驗室合作

設計制造了第一臺完全自主知識產(chǎn)權(quán)的分子束外延設備，用于外延光電半導體材料。

2006年    與中國科技大學合作

設計設計超高溫CVD 和MBE。

用于4H晶型SiC外延生長。

2007年    與蘭州大學物理學院合作

設計制造了光學級金剛石生長設備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）。

2015年    中科院金屬研究所沈陽材料科學國家（聯(lián)合）實驗室合作

設計制造了金剛石薄膜制備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜。

2017年

-優(yōu)化Rheed設計，開始生產(chǎn)型MBE設計。

-開始研制PVD方法外延GaN的工藝和裝備，目前正在進行設備工藝驗證。

2019年    設計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設備。

2021年    MBE生產(chǎn)型設計。

2022年    大尺寸金剛石晶圓片制備（≥Φ6英寸）。

2023年   PVD方法外延氮化鎵裝備與工藝攻關(guān)。