Infineon EVAL_1EDF_G1_HB_GAN評(píng)估板提供了一個(gè)平臺(tái)，用于評(píng)估采用通用半橋拓?fù)涞腉aN。通用拓?fù)淇膳渲脼樯龎夯蚪祲哼\(yùn)行、脈沖測(cè)試或連續(xù)全功率運(yùn)行。因此，該評(píng)估板幾乎可用于構(gòu)建所有轉(zhuǎn)換器和逆變器應(yīng)用。EVAL_1EDF_G1_HB_GAN評(píng)估板支持輕松、快速地設(shè)置和測(cè)試CoolGANtm。該板設(shè)有測(cè)試點(diǎn)，可以輕松訪問以將信號(hào)連接到示波器，并測(cè)量CoolGaN?晶體管和柵極驅(qū)動(dòng)器的開關(guān)性能。該器件可為用戶節(jié)省時(shí)間，讓他們可以不用顧及自己的柵極驅(qū)動(dòng)器和電源電路的設(shè)計(jì)。

EVAL_1EDF_G1_HB_GAN由5V單電源輸入供電，具有單個(gè)PWM輸入，用于連接50Ω脈沖發(fā)生器。該半橋電路板能夠以硬開關(guān)或軟開關(guān)方式開關(guān)12A連續(xù)電流以及35A峰值電流。工作頻率可高達(dá)幾MHz，具體取決于晶體管的功耗。

特性

簡(jiǎn)單的GaN半橋，帶專用GaN驅(qū)動(dòng)器IC

能夠?qū)崿F(xiàn)多MHz開關(guān)頻率

零反向恢復(fù) – 可在硬開關(guān)或軟開關(guān)之間切換

GaN晶體管采用頂部冷卻，可實(shí)現(xiàn)高功耗

輕松設(shè)置和使用

多種配置可供選擇

評(píng)估GaN的高頻能力

評(píng)估具有低振鈴、過沖、EMI的波形

可在數(shù)千瓦的功率級(jí)下輕松進(jìn)行評(píng)估

應(yīng)用

轉(zhuǎn)換器和逆變器應(yīng)用