晶體管 - 雙極 (BJT)類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極 (BJT) - 單制造商ON Semiconductor系列汽車級，AEC-Q101包裝 帶卷（TR） 零件狀態(tài)在售晶體管類型NPN電流 - 集電極（Ic）晶體管 - 雙極 (BJT)（最大值）600mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）40V不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）1V @ 50mA，500mA電流 - 集電極截止（最大值）10nA（ICBO）不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）100 @ 150mA，10V功率 - 最大值225mW頻率 - 躍遷300MHz工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3晶體管 - 雙極 (BJT)。晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管 - 雙極 (BJT)利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。嚴(yán)格意義上講，晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）;場效應(yīng)晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。晶體管 - 雙極 (BJT)因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地（又稱共射放大、CE組態(tài)）、基極接地（又稱共基放大、CB組態(tài)）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器）晶體管 - 雙極 (BJT)。