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同步整流的損耗同步整流管的損耗計算一般也是包括以下幾方面：■導(dǎo)通損耗■開關(guān)損耗■驅(qū)動損耗■反向恢復(fù)損耗■死區(qū)時間二極管損耗同步整流的損耗—Rds_onvsQg導(dǎo)通損耗一般由功率拓?fù)浜瓦x用MOS的Rdson決定，值得指出的是，導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗Pgate存在一定的權(quán)衡關(guān)系，由于MOS的Qg和Rdson成反比，而Qg大小一定程度上又與開關(guān)損耗成反比。所以，需要選擇合適而不是Rdson的MOS。另外，值得指出的是在一些自驅(qū)動線路中，驅(qū)動電平Ug在高壓較高會帶來額外的損耗也需要考慮其中。
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1）自驅(qū)動同步整流關(guān)機時候在前一階段為同步整流模式，電壓掉到一定程度，變?yōu)槎O管模式，從而帶來不同的輸出電壓下降斜率。2）外驅(qū)動同步整流原邊關(guān)機后，副邊未正確的及時關(guān)斷。解決思路：1）采用一定的控制方法控制副邊同步整流管在原邊關(guān)斷后快速關(guān)斷，變?yōu)槎O管模式關(guān)機。2）采用一定的方法控制副邊同步整流軟關(guān)斷。同步整流—更好的動態(tài)響應(yīng)值得指出的一點是，同步整流線路不僅僅能帶來效率的提升，在提高電路的動態(tài)響應(yīng)方面，如果采用CCM模式的同步整流，會帶來動態(tài)響應(yīng)的提升。二極管在低載情況下，環(huán)路特性會非常難以補償從而帶來較差的動態(tài)響應(yīng)，而CCM的同步整流，在空滿載情況下是接近的來源：電源研發(fā)精英圈
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目前涵待突破的是以下幾大領(lǐng)域的核心技術(shù)。1、光刻機作為集成電路產(chǎn)業(yè)的核心裝備，光刻機被稱為“人類精密復(fù)雜的機器”。當(dāng)前全球能制造光刻機的只有荷蘭的ASML，制造中低端光刻機則是日本的尼康和佳能，它們市場份額超過八成。光刻系統(tǒng)，它是芯片制造核心中的核心，光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中復(fù)雜、關(guān)鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點和關(guān)鍵點在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實現(xiàn)，光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。