PlasmaMS 300儀器組成與工作原理
ICP-MS全稱電感耦合等離子體質(zhì)譜（Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry)主要包括以下功能模塊：進(jìn)樣系統(tǒng)、ICP離子源、接口單元、離子傳輸系統(tǒng)、四級(jí)桿質(zhì)量分析系統(tǒng)、離子檢測(cè)及和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、整機(jī)控制系統(tǒng)與軟件系統(tǒng)。
圖2.1 PlasmaMS 300型結(jié)構(gòu)示意圖
其工作原理是：待測(cè)樣品通過(guò)進(jìn)樣系統(tǒng)進(jìn)入離子源部分，在被 ICP射頻電源離子化后，在接口及離子傳輸系統(tǒng)中通過(guò)聚焦、消除干擾后進(jìn)入四極桿質(zhì)量分析器，在其中離子將按照質(zhì)荷比（m/z）大小被分開，經(jīng)過(guò)聚焦后，達(dá)到檢測(cè)器。檢測(cè)器將不同質(zhì)荷比的離子流通過(guò)接收、測(cè)量及數(shù)據(jù)處理轉(zhuǎn)換成電信號(hào)經(jīng)放大、處理后得到分析結(jié)果。
2.2 主機(jī)部件
儀器主機(jī)的主要部件有：進(jìn)樣系統(tǒng)、ICP離子源、接口單元、離子傳輸系統(tǒng)、四級(jí)桿質(zhì)量分析系統(tǒng)、離子檢測(cè)及和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、整機(jī)控制系統(tǒng)與軟件系統(tǒng)。
進(jìn)樣系統(tǒng)包含蠕動(dòng)泵、進(jìn)樣管排樣、霧化器、霧室、玻璃彎管、炬管；
ICP離子源包括包含功放箱、匹配箱；
接口單元包括接口、水腔、提取透鏡；
離子傳輸系統(tǒng)包括π透鏡、碰撞反應(yīng)池、透鏡組；
四級(jí)桿質(zhì)量分析系統(tǒng)包括四級(jí)桿、饋入件；
離子檢測(cè)及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)主要包括電子倍增器、電子倍增器支架；
真空系統(tǒng)包括機(jī)械泵、2個(gè)分子泵、真空腔體、潘寧規(guī)；
整機(jī)控制系統(tǒng)包含各種控制電路模塊。
2.3 輔助裝置
智能溫控冷卻循環(huán)水箱是重要的輔助裝置，它冷卻接口、線圈、離子源和分子泵。
穩(wěn)壓電源是能為負(fù)載提供穩(wěn)定交流電的電子裝置。當(dāng)電網(wǎng)電壓或負(fù)載出現(xiàn)瞬間波動(dòng)時(shí)，穩(wěn)壓電源會(huì)以10ms~30ms的響應(yīng)速度對(duì)電壓幅值進(jìn)行補(bǔ)償，使其穩(wěn)定在±2%以內(nèi)。

PlasmaMS 300在金屬工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用
痕量元素含量的變化對(duì)材料性能和生產(chǎn)控制有巨大影響。
PlasmaMS 300 PLASMAMS 300能在主要元素存在的條件下精確測(cè)定痕量元素，使用跳峰掃模式可以避 免主量元素、其氧化物、其雙電荷、其氫化物等的干擾，選擇同位素時(shí)應(yīng)注意避免基體離 子干擾。
應(yīng)用領(lǐng)域：
在研發(fā)和專業(yè)化學(xué)應(yīng)用領(lǐng)域有較廣的范圍 高純陶瓷和化學(xué)品
金屬和玻璃 產(chǎn)品純度驗(yàn)證

PLASMAMS 300 在不同行業(yè)的應(yīng)用與干擾
地質(zhì)樣品通常難以消解。相比之下，激光消融幾乎不需要任何樣品制備，僅僅 需要將樣品切至適合激光消融池的大小。
在這一領(lǐng)域中，樣品多種多樣，質(zhì)譜分布范圍很廣，因此此類應(yīng)用為廣泛和復(fù)雜。在單 個(gè)礦物或樣品(minerals or phases)中，可能既需要分析痕量金屬含量，又需要進(jìn)行同位 素信息掃描。
由于在這類樣品中存在著大量的稀土元素(rare earth elements)，因此在這類地質(zhì)樣品中 常見的干擾就是氧化物干擾和雙電荷干擾。
應(yīng)用領(lǐng)域:
巖石稀土分析和巖石消解 激光消融分析礦物
同位素比例研究地球及外來(lái)物質(zhì)的原始和進(jìn)化 水沉積物和地下水

PlasmaMS 300同位素選擇
有的元素只有一種同位素，因此被稱為單同位素元素。大多數(shù)的元素都有多種同位素供 選。.
多同位素元素(Multi-isotopic)
? Copper(Cu), selenium(Se), lead(Pb), mercury(Hg), erbium(Er), ytterbium(Yb), lutetium(Lu)
單同位素元素(Mono-isotopic)
? Beryllium(Be), sodium(Na), aluminum(Al), manganese(Mn), cobalt(Co), arsenic(As), bismuth(Bi), holmium(Ho), thulium(Tu)
當(dāng)需要從多個(gè)供選同位素中選擇合適的同位素來(lái)對(duì)目標(biāo)元素進(jìn)行分析的時(shí)候，可以從以 下幾個(gè)方面進(jìn)行考慮：
例如: 1.靈敏度或動(dòng)態(tài)線性范圍是考慮的主要因素嗎?
如果需要優(yōu)先考慮靈敏度的話，絕大多數(shù)情況下，挑選相對(duì)豐度比的同位素是正確的
選擇。如果有的樣品中目標(biāo)元素濃度高，有的目標(biāo)元素濃度低，彼此之間濃度差異很大， 那么此時(shí)就需要優(yōu)先考慮擴(kuò)展該元素的動(dòng)態(tài)線性范圍，此時(shí)應(yīng)當(dāng)選擇相對(duì)豐度比較小的同 位素來(lái)進(jìn)行檢測(cè)。
2.你的樣品中是否包含了會(huì)造成干擾的大量元素？ 有的時(shí)候，選擇豐度比的同位素反而達(dá)不到降低檢出限的目的，因?yàn)闃悠坊w成分中 可能含有別的干擾元素，對(duì)目標(biāo)同位素造成了同位素干擾或多原子分子干擾。此時(shí)選擇另 一個(gè)雖然豐度比相對(duì)低一些但是不受干擾的同位素來(lái)進(jìn)行測(cè)量才是正確的?；w干擾中比
較常見的是氧化物干擾?；w中的干擾同位素形成氧化物后，會(huì)直接影響質(zhì)量數(shù)比它大
16的同位素的測(cè)定結(jié)果。