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深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司 
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深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司
店齡5年 · 
企業(yè)認(rèn)證 · 
廣東省深圳市
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店齡5年 · 企業(yè)認(rèn)證 · 廣東省深圳市 深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： mos管, 場(chǎng)效應(yīng)管, P溝道MOS, N溝道MOS
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SI2302DS-T1-GE3場(chǎng)效應(yīng)管mos管SOT2320V/6AN溝道
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店齡5年 企業(yè)認(rèn)證
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所在地區(qū)
廣東省深圳市
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
產(chǎn)品特性 大功率
品牌 VBsemi（臺(tái)灣微碧）
型號(hào) SI2302DS-T1-GE3
封裝 SOT23
批號(hào) 20+
FET類型 增強(qiáng)型
漏源電壓（Vdss） 20V
漏極電流(Id) 6A
漏源導(dǎo)通電阻(RDS On) 28mΩ@4.5V
柵源電壓(Vgs) ± 12V
柵極電荷(Qg) 8.8
反向恢復(fù)時(shí)間 /
最大耗散功率 2.1mW
配置類型 N溝道
工作溫度范圍 /
安裝類型 /
應(yīng)用領(lǐng)域 Array
商品介紹
技術(shù)參數(shù)
品牌： | VBsemi臺(tái)灣微碧 |
| 型號(hào): | SI2302DS-T1-GE3 |
批號(hào)： | 20+ |
| 封裝： | SOT23-3 |
| 溝道類型： | N溝道 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 20V |
| 漏極電流（Id）： | 6A |
| 漏源導(dǎo)通電阻（RDS On）： | 28mΩ@4.5V |
| 柵源電壓（Vgs）： | ±20V |
| 耗散功率： | 1.4W |
品牌介紹
規(guī)格書(shū)
用途/應(yīng)用領(lǐng)域
3C數(shù)碼、安防設(shè)備、測(cè)量?jī)x器、廣電教育、家用電器、軍工/航天、可穿戴設(shè)備、汽車電子、網(wǎng)絡(luò)通信、物聯(lián)網(wǎng)IoT、新能源、醫(yī)療電子、照明電子、智能家居
聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系賣家 張先生 
（QQ：3003525560）
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地址 廣東省深圳市
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