強(qiáng)元芯電子（廣東）有限公司主營：整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復(fù)二極管
PL3331

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PL3331 內(nèi)部集成 VDD 檢測電路，系統(tǒng)上電完成前，功率管一直處于斷開狀態(tài)，副邊電流流過功率 MOS的體二極管，直到 VDD 端電壓超過芯片的啟動閾值電壓時，芯片開始正常工作。

PL3331 當(dāng) VDD 電壓低于芯片的欠壓閾值電壓時，芯片進(jìn)入欠壓保護(hù)模式，功率管不會開啟。為了防止 VDD上升過程中抖動對芯片的影響，內(nèi)部設(shè)置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 3.1V 和2.8V。

PL3332

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PL3332副邊導(dǎo)通時，電流首先流過功率 MOS 的體二極管，當(dāng)芯片檢測到功率 MOS 漏極與源極壓差小于V ON_TH 時，芯片經(jīng)過時間 T DON 開啟功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分別為-200mV 和 80ns。

PL3332關(guān)鍵特性：車規(guī)級（-40°-125°C ）、低待機(jī)、強(qiáng)抗干擾、強(qiáng)保密（IC 卡級）主要應(yīng)用：智能家居、小家電、智能照明、電機(jī)驅(qū)動、電動工具、觸摸按鍵、汽車遙控、PD、QC、電池管理等

PL3369

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PL3369B 同時具有多種保護(hù)功能：逐周期峰值電流檢測、VDD 欠壓/過壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、輸出短路保護(hù)和過溫保護(hù)。

PL3369B具有多種保護(hù)功能以應(yīng)對系統(tǒng)的各種異常狀態(tài)。主要包括：逐周期限流保護(hù)、VDD欠壓/過壓保護(hù)、輸出短路/過壓保護(hù)和過溫保護(hù)等。系統(tǒng)發(fā)生異常時，芯片將被保護(hù)，直到系統(tǒng)恢復(fù)正常狀態(tài)。

PL3369B提供SOP7封裝。