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IGBT的驅(qū)動電路特點（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

用什么直流電機驅(qū)動芯片（四）

2.3 閉環(huán)調(diào)速系統(tǒng)

ML4428內(nèi)部的調(diào)速系統(tǒng)是典型的直流電機PWM雙閉環(huán)調(diào)速系統(tǒng)，如圖4所示，在系統(tǒng)中設(shè)置兩個調(diào)節(jié)器，分別調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速和電流，二者之間實行串級聯(lián)接，即以轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)器的輸出作為電流調(diào)節(jié)器，再用電流調(diào)節(jié)器的輸出控制開關(guān)器件。這樣組成的雙閉環(huán)系統(tǒng)，在突加給定的過渡過程中表現(xiàn)為一個恒值電流調(diào)節(jié)系統(tǒng)，在穩(wěn)態(tài)和接近穩(wěn)態(tài)運行中又表現(xiàn)為無靜差調(diào)速系統(tǒng)，即發(fā)揮了轉(zhuǎn)速和電流兩個調(diào)節(jié)器各自的作用，又避免了像單環(huán)系統(tǒng)那樣兩種反饋互相牽制的缺陷，從而獲得良好的靜、動態(tài)品質(zhì)。

2.4 內(nèi)部保護電路

ML4428內(nèi)部具有電流檢測和限流功能。外部功率元件MOSFET的源極電流流過RSENSE得到與電動機繞組電流成正比例的電壓，經(jīng)環(huán)路濾波器(該濾波器能濾除觸發(fā)單穩(wěn)電路的噪聲尖峰電流，一般選樣在時間常數(shù)300ns以內(nèi))到電流比較器的正端(ISNS引腳)，比較器的負端有鉗位電壓為0.5V的二極管，因此可以限制電機定子電路的峰值電流為10A時，則RSENSE=0.5/10=0.05Ω。當(dāng)電流檢測電路的電壓高于比較器負端電壓時，單穩(wěn)態(tài)電路被觸發(fā)，關(guān)斷輸出MOSFET，電流下降，直至單穩(wěn)電流被復(fù)位。

ML4428正常電源供給為+12V，在電源低于8.75V時，6個輸出驅(qū)動器將全部關(guān)斷。

什么叫液晶顯示屏的電力學(xué)特點

電力學(xué)特點：液晶顯示屏分子結(jié)構(gòu)為長細桿狀構(gòu)造，增加軸方位有旋光性(Dipole)，也就是這個分子結(jié)構(gòu)的一端帶正電荷一端帶負電荷，因此大家對這一液晶顯示屏分子結(jié)構(gòu)加工作電壓能夠使它產(chǎn)生偏移。

如下圖試驗，2個平行面玻璃正中間添加液晶顯示屏，兩邊再加工作電壓，當(dāng)【不用工作電壓】和【加工作電壓】時，液晶顯示屏分子結(jié)構(gòu)會各自【躺】在玻璃上或【站】在玻璃上。