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嵌入可動電極的微慣性傳感器的設計

MEMS電容式微慣性傳感器因其具有尺寸小、靈敏度高、穩(wěn)定性好、溫度漂移小、功耗低、很好的工作在力平衡模式下等等優(yōu)點，在軍事、汽車工業(yè)、生物醫(yī)學、消費電子、慣性導航等領域得到廣泛的應用。 本首先分析了電容式微慣性傳感器的測量控制原理和系統(tǒng)動態(tài)模型，并在此基礎上通過三個方面設計出新型嵌入橫向可動電極的微慣性傳感器，分別是：支撐梁結構、微執(zhí)行器結構和檢測電容結構。通過分別對以上三方面不同結構模型的分析對比，在傳感器設計中選用U形梁結構作為傳感器的支撐梁，電磁執(zhí)行器作為驅動力，梳柵結構作為檢測電容結構。

其中為了克服深反應離子刻蝕關于深寬比不能做大的限制和降低噪聲，詳細介紹了電磁驅動增大傳感器初始檢測電容的工作原理，通過嵌入可動電極和電磁驅動作用減小電容間隙，結果表明，電磁驅動使得傳感器的電容間隙減小4μm，初始檢測電容由1.28pf增大到6.4pf。 根據(jù)以上理論分析和參數(shù)設計，給出了新型電容式微慣性傳感器的整體結構模型，并利用有限元軟件Ansys進行。結果表明所設計的傳感器在非敏感方向上梁的剛度較大，軸向交叉效應得到了有效抑制；傳感器的靜態(tài)位移靈敏度為0.659μm/g，施加電磁驅動前后的電容靈敏度分別為0.15pf/g和0.192pf/g，增大為原來的1.28倍；同時應力分析結果表明，傳感器能夠抵擋1000g的加速度信號的沖擊而不被損壞。之后利用電磁分析軟件ANSOFT-Maxwell分析了邊緣效應對傳感器性能的影響，表明小尺寸的傳感器電容的邊緣效應不可忽略。

高速芯片溫度檢測技術

芯片在工作時容易變熱,為了保證芯片工作在一個穩(wěn)定的狀態(tài),必須保證芯片溫度的變化在可容許的范圍以內。對高速芯片采取冷卻技術,首先要檢測工作時的溫度變化。溫度傳感器集成電路是一種完全基于半導體硅的溫度檢測新技術,能夠實現(xiàn)擴展測溫范圍、進行遠程溫度監(jiān)測。采用風扇自動控制技術與溫度傳感器集成電路,不僅可以節(jié)約成本,而且減少噪音污染,是高速芯片冷卻技術的發(fā)展趨勢。

深圳瑞泰威科技有限公司是國內IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號。與國內外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準等均穩(wěn)定合作，保證產品的品質和穩(wěn)定供貨。自公司成立以來，飛速發(fā)展，產品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費類IC等行業(yè)。

A1330驅動ic與傳統(tǒng)IC比較

A1330器件的雙芯片封裝版本采用堆疊式封裝，與傳統(tǒng)的并排式封裝技術相比，A1330器件信道間的一致性更好。在安全性非常關鍵的應用中，需要對兩個芯片的輸出進行比較，以確保系統(tǒng)的安全運行，這種一致性參數(shù)非常重要。A1330的單芯片和雙芯片版本均采用扁平型、無鉛、8引腳TSSOP封裝，引腳框為100％霧錫電鍍。