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igbt驅(qū)動電路的簡介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。

用什么直流電機(jī)驅(qū)動芯片（一）

瑞泰威公司生產(chǎn)的ML4428無刷直流電機(jī)無傳感器PWM智能控制器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，它是無位置傳感器無刷直流電動機(jī)控制的簡易方法，該控制器內(nèi)部的反電勢電路、起動及換向邏輯電路、限流比較器和保護(hù)電路簡化了無位置傳感器無刷直流電動機(jī)的控制，做到單獨(dú)控制的正反向運(yùn)行，起動時無反轉(zhuǎn)，采用PWM控制或噪聲的線性控制，可獲得。

1 引言

無刷直流電機(jī)具有體積小、重量輕、維護(hù)方便、高效節(jié)能、易于控制等一系列優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。傳統(tǒng)的無刷直流電機(jī)大多以霍爾元件或其它位置檢測元件作位置傳感器，但位置傳感器維修困難，且霍爾元件的溫度特性不好，導(dǎo)致系統(tǒng)可靠性變差。因此，無位置傳感器無刷直流電機(jī)成為理想選擇，并具有廣闊的發(fā)展前景，但它的控制電路相當(dāng)復(fù)雜。ML4428控制芯片的出現(xiàn)，簡化了控制電路的設(shè)計，該芯片內(nèi)部含有反電勢檢測電路、起動換向邏輯電路和保護(hù)電路，使控制器芯片只需外接少量的阻容元件就可以實(shí)現(xiàn)對直流無刷電動機(jī)的控制。

液晶顯示屏驅(qū)動ic中什么叫偏置？

偏置(Bias)：這一較為非常容易了解，便是液晶顯示屏的扭曲工作電壓，也就是SEG和COM中間的工作電壓，事實(shí)上它是一個模擬型號規(guī)格的驅(qū)動器波型，將會你見到的SEG和COM不一樣彎彎的扭一扭的，可是記牢液晶顯示屏驅(qū)動器與波型不相關(guān)，它只與2個波型累加以后的凈工作電壓差相關(guān)，而偏置便是各檔模擬工作電壓中至少檔相對性于輸出的工作電壓重要的占比。