NP100P04PDG-E1-AY/RENESAS/瑞薩
NP100P04PDG-E1-AY/RENESAS/瑞薩
NP100P04PDG-E1-AY/RENESAS/瑞薩
NP100P04PDG-E1-AY/RENESAS/瑞薩

NP100P04PDG-E1-AY/RENESAS/瑞薩

價格

訂貨量(800)

￥156.00

≥100

￥150.00

≥500

聯(lián)系人 肖生

掃一掃添加商家

钳钶钺钸钻钵钳钶钻钺钷

發(fā)貨地 廣東省深圳市
進入商鋪
掃碼查看

掃碼查看

手機掃碼 快速查看

在線客服

商品參數(shù)
|
商品介紹
|
聯(lián)系方式
型號 NP100P04PDG-E1-AY
最小漏源擊穿電壓 40 V
品牌 RENESAS/瑞薩
最大漏極電流 (Abs) (ID) 100 A
封裝 TO-263/
最大漏極電流 (ID) 100 A
批號 19+
最大漏源導通電阻 0.0051 Ω
數(shù)量 800
最高工作溫度 175 °C
商品介紹

參數(shù)
Brand NameRenesas
是否Rohs認證符合
廠商名稱Renesas(瑞薩電子)
零件包裝代碼MP-25ZP
包裝說明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
針數(shù)3
制造商包裝代碼PRSS0004AL-A3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代碼EAR99
雪崩能效等級（Eas）550 mJ
外殼連接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓40 V
最大漏極電流 (Abs) (ID)100 A
最大漏極電流 (ID)100 A
最大漏源導通電阻0.0051 Ω
FET 技術(shù)METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼TO-263AB
JESD-30 代碼R-PSSO-G2
元件數(shù)量1
端子數(shù)量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度175 °C
封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
封裝形狀RECTANGULAR
封裝形式SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）NOT SPECIFIED
極性/信道類型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)200 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)300 A
認證狀態(tài)Not Qualified
表面貼裝YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間NOT SPECIFIED
晶體管應用SWITCHING
晶體管元件材料SILICON
聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市港恒達半導體有限公司
聯(lián)系賣家 肖生 （QQ：474337047）
電話 钺钵钼钼-钻钶钼钺钹钹钺钸
手機 钳钶钺钸钻钵钳钶钻钺钷
地址 廣東省深圳市
聯(lián)系二維碼