NEO 2000生產(chǎn)線是來自Trymax半導(dǎo)體設(shè)備的一種先進(jìn)的等離子去膠/蝕刻系統(tǒng),采用了最新的光刻膠去除技術(shù),以極具競爭力的價格提供卓越的設(shè)備性能。NEO 2000專門設(shè)計用于直徑為100mm至200mm的基片上。
它配備了一個超快速傳輸平臺,靈活可配置,且可同時處理不同尺寸的基片,無需更換硬件。NEO 2000系列具有緊湊的模塊化設(shè)計,可提供高生產(chǎn)量,以實現(xiàn)最低的擁有成本。
螣芯科技
主營產(chǎn)品: 半導(dǎo)體前道, 后道, 檢測設(shè)備
Trymax-NEO200A去膠機-NEO2000化合物去膠-NEO3000硅基干法去膠
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經(jīng)營模式
其他
所在地區(qū)
上海市青浦區(qū)
主營產(chǎn)品
主要涉及CMOS、功率、射頻、MEMS、LED以及晶圓級封裝技術(shù)等生產(chǎn)制造的公司,可以從我們的解決方案中獲益。NEO系列可處理各種類型的半導(dǎo)體材料、晶圓尺寸和厚度。主要集中在:
· 去膠、預(yù)處理、光蝕刻、表面處理和清潔
· 紫外光刻膠固化與晶圓器件電荷擦除
去膠、預(yù)處理、蝕刻、表面處理和清潔
Trymax提供用于去膠、預(yù)處理、光蝕刻、表面處理和清潔的等離子反應(yīng)腔,工藝過程采用干燥和環(huán)保的工藝。
去膠:包括剝離光刻膠, 去膠過程通常在離子注入或蝕刻后進(jìn)行。
預(yù)處理:去除晶圓上殘留的光刻膠或聚酰亞胺,應(yīng)用于晶圓制造前段或晶圓級封裝。
蝕刻:材料如Si3N4,SiO2和多晶硅等各向同性蝕刻。具有極高的性價比。
表面改性:在濕法蝕刻前進(jìn)行表面活化,以改善蝕刻工藝步驟。在沉積前提高表面附著力等方面的應(yīng)用。
清潔:多種清潔方式。例如,等離子體清洗可以在濕法蝕刻完成清洗步驟之后進(jìn)行,或者在干燥后從空腔或通孔中去除一些殘留聚合物之后進(jìn)行。
NEO 200A是Trymax半導(dǎo)體設(shè)備去膠和蝕刻產(chǎn)品且為小占地面積的單腔。它是一個完全自動化的單腔系統(tǒng)且可以配置當(dāng)前任何可用的Trymax NEO工藝模塊,它與直徑達(dá)200mm的襯底兼容并且這款小尺寸的NEO 200A配有兩個上料臺。
- 100/150/200mm襯底尺寸
-雙卡塞上料臺
-4軸雙臂機器人操作
-提供3種不同的工藝室:
- 微波下游(2.45GHz)
-射頻偏壓(13.56 MHz)
-雙電源(微波、射頻偏壓)
-機臺產(chǎn)量>100wph
-較小的占地面積
-較低的擁有成本
-全數(shù)字控制,設(shè)備網(wǎng)-以太網(wǎng)
-基于Windows的工業(yè)計算機
應(yīng)用:
-整體抗蝕劑,LDI抗蝕條
-預(yù)處理加工
-聚合物去除
-大劑量后植入條
-氮化硅/碳化硅蝕刻應(yīng)用
- TaSi蝕刻
-MEMS應(yīng)用
-高級包裝加工(PR、PI、BCB、PBO)
-射頻濾波器BAW/SAW抗蝕處理
NEO 2000生產(chǎn)線是來自Trymax半導(dǎo)體設(shè)備的一種先進(jìn)的等離子去膠/蝕刻系統(tǒng),采用了最新的光刻膠去除技術(shù),以極具競爭力的價格提供卓越的設(shè)備性能。NEO 2000專門設(shè)計用于直徑為100mm至200mm的基片上。
它配備了一個超快速傳輸平臺,靈活可配置,且可同時處理不同尺寸的基片,無需更換硬件。NEO 2000系列具有緊湊的模塊化設(shè)計,可提供高生產(chǎn)量,以實現(xiàn)最低的擁有成本。
- 襯底尺寸可配置100/150/200mm
- 3或4個Loadport 或2個集成SMIF 的 Loadport
-5軸雙臂機器人,需使用特定的襯底夾持器進(jìn)行操作
-可提供3種不同的工藝室技術(shù):
- 微波源 2.45GHz)
- 射頻源 13.56 MHz)
- 雙電源(微波、射頻偏壓)
- 機械傳片率200wph
-較小的占地面積
-較低的擁有成本
-全數(shù)字控制,設(shè)備網(wǎng)-以太網(wǎng)
-基于Windows的工業(yè)計算機
- 光阻灰化,LDI后光刻膠去除
- 預(yù)處理加工
- 聚合物去除
- 大劑量離子注入后光阻去除
- 氮化硅和碳化硅刻蝕
- TaSi蝕刻
- MEMS(微電子機械系統(tǒng))應(yīng)用
- 先進(jìn)封裝工藝 PR、PI、BCB、PBO)
-射頻濾波器BAW/SAW工藝中的光阻去除
NEO3000是Trymax 公司NEO系列中已被長期使用的機臺,用于先進(jìn)的等離子灰化和蝕刻工藝。
NEO3000已為您的高產(chǎn)能做好了準(zhǔn)備,它適應(yīng)半導(dǎo)體生產(chǎn)每一個階段和預(yù)算。NEO3000系列可以搭配任意現(xiàn)有的NEO工藝模塊并且可以支持直徑為300毫米的基片。它采用模塊化設(shè)計,體積小,占地面積小,可根據(jù)您的需要靈活搭配。NEO3000系列可兼容直徑為200毫米及300毫米的基片。
-支持直徑為200和300毫米的基片
-支持2個外掛SMIF上料臺。
-全自動5軸雙手臂傳送機械臂
-支持3種不同的工藝腔室:
-微波下游(2.45GHz)
-射頻偏壓(13.56MHz)
-雙電源系統(tǒng)(微波+射頻偏壓)
-機械產(chǎn)能>300片/小時
-較小的占地面積
-較低的擁有成本
-完全數(shù)控化機臺:DeviceNET通訊及以太網(wǎng)通信
-基于windows平臺的工業(yè)計算機
-晶圓冷卻平臺及缺口校準(zhǔn)器
采購數(shù)量不能為空
聯(lián)系信息不能為空
驗證碼不正確