FF400R12KF4報(bào)價(jià) 庫(kù)存充足一站式采購(gòu)
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商品介紹
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系列 IGBT系列
封裝 標(biāo)準(zhǔn)封裝
批號(hào) new
可控硅類型 硅（si）
種類 化合物半導(dǎo)體
商品介紹
IGBT在關(guān)斷過程中，漏電流的波形變?yōu)閮啥?。因?yàn)镸OSFET關(guān)斷后，PNP晶體管的存儲(chǔ)電荷難以迅速消除，造成漏電流較長(zhǎng)的尾部時(shí)間，td(off)為關(guān)斷延遲時(shí)間，trv為電壓Uds(f)的上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常常給出的漏電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏電流的關(guān)斷時(shí)間。
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公司名稱 上海菲茲電子科技有限公司
聯(lián)系賣家 張嵐颯 （QQ：1539653456）
電話 萨萬萦-萫萦萨萨萭萦萬萫
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地址 上海市