CSD19531Q5A
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商品參數(shù)
|
商品介紹
|
聯(lián)系方式
品牌 TI
產(chǎn)品說明 TI 場效應管
包裝 原包
封裝 VSON8
批號 21+
特色服務 -
類型 MOSFET
系列 CSD19531Q5A
型號 CSD19531Q5A
數(shù)量 5000
商品介紹
品牌
TI
批號
16+
封裝
VSON8
數(shù)量
35716
QQ
2221238478
制造商
Texas Instruments
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
VSONP-8
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
100 V
Id-連續(xù)漏極電流
100 A
Rds On-漏源導通電阻
6.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓
20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓
2.7 V
Qg-柵極電荷
37 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商標名
NexFET
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
1 mm
長度
6 mm
系列
CSD19531Q5A
晶體管類型
1 N-Channel
寬度
4.9 mm
商標
Texas Instruments
正向跨導 - 最小值
82 S
下降時間
5.2 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時間
5.8 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間
18.4 ns
典型接通延遲時間
6 ns
單位重量
87.800 mg
可售賣地
全國
型號
CSD19531Q5A

聯(lián)系方式
公司名稱 深圳飛弛宏科技有限公司
聯(lián)系賣家 李小姐
手機 㜉㜊㜃㜇㜃㜆㜊㜈㜋㜈㜅
地址 廣東省深圳市