深圳市泰立儀器儀表有限公司
主營產(chǎn)品: 金屬材料檢測, 復(fù)合材料檢測, 磁力測量, 電導(dǎo)率測量, 相控陣探傷, 汽車點(diǎn)焊探傷
奧林巴斯-OLYMPUS-相控陣探傷儀EPOCH-1000
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訂貨量(個(gè))
¥35050.00
≥1
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主營產(chǎn)品
?奧林巴斯 OLYMPUS 相控陣探傷儀EPOCH 1000 相控陣探頭
典型相控陣探頭的頻率范圍在 1 ?MHz 到17 MHz之間,晶片數(shù)量在10個(gè)到128個(gè)之間。奧林巴斯提供各種使用壓電復(fù)合材料技術(shù)的探頭,適用于多種類型的檢測。這里說明奧林巴斯的標(biāo)準(zhǔn)相控陣探頭。這些探頭分為3種類型:角度聲束探頭、整合楔塊探頭,以及水浸式探頭。
還可以設(shè)計(jì)其他類型的探頭,以滿足您的應(yīng)用需求。
線性陣列探頭是工業(yè)應(yīng)用中常用的相控陣探頭。定義相控陣探頭的重要特征之一是的探頭孔徑。
定制的相控陣探頭和楔塊 - 為定制相控陣探頭和/或楔塊
我們生產(chǎn)的相控陣(PA)儀器可進(jìn)行快速檢測,并生成被測工件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的、詳細(xì)的橫截面圖像。相控陣技術(shù)使用多個(gè)超聲晶片及電子時(shí)間延遲,創(chuàng)建可以電子方式傳播、掃描、掃查及聚焦的聲波,以進(jìn)行快速檢測、完整的數(shù)據(jù)存儲,以及多角度的檢測。相控陣技術(shù)可提供極為可靠的測量結(jié)果。
相控陣探頭
焊縫系列探頭
焊縫檢測探頭的線纜會(huì)從其外殼的前面或頂部伸出,這樣就可以避免線纜纏繞到掃查器的探頭架。這些探頭適用于對焊縫進(jìn)行的手動(dòng)和自動(dòng)檢測。A31和A32焊縫系列相控陣探頭和楔塊以其簡約的設(shè)計(jì),不僅使焊縫檢測得到了簡化和標(biāo)準(zhǔn)化,而且還改進(jìn)了信噪比。
優(yōu)勢特性
適用于焊縫檢測的優(yōu)化設(shè)計(jì)
的信噪比性能
寬泛的厚度測量范圍
新穎的楔塊概念,可改進(jìn)與工件的耦合效果
在聲學(xué)上,可與Rexolite匹配
典型應(yīng)用
A31和A32探頭
使用角度聲束對3毫米到60毫米厚的焊縫進(jìn)行手動(dòng)或自動(dòng)檢測
提供用于橫波或縱波檢測的創(chuàng)新型楔塊設(shè)計(jì)
在被動(dòng)軸上聚焦(PAF)的楔塊
這個(gè)已獲的聚焦楔塊系列在對管道周向上的環(huán)焊縫進(jìn)行檢測時(shí),有助于補(bǔ)償聲束在被動(dòng)軸方向的發(fā)散現(xiàn)象。寬度較小的聲束可以對掃查軸方向上的較短的缺陷進(jìn)行定量,從而有助于降低報(bào)廢率,并提供更清晰的圖像。
碳鋼
管道和平板
奧林巴斯用途廣泛的焊縫檢測解決方案采用多種技術(shù)對平板和外徑等于或大于4.5英寸的管道進(jìn)行多產(chǎn)的檢測。相控陣、衍射時(shí)差以及常規(guī)超聲等技術(shù)在檢測過程中可被單獨(dú)使用,也可以組合在一起使用,以覆蓋整個(gè)焊縫,并獲得很高的檢出率。
這種解決方案還可以使用不同的掃查方式,獲得缺陷定位和定量的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)。掃查器具有優(yōu)質(zhì)的穩(wěn)定性和編碼性能,不僅可使檢測符合規(guī)范的要求,還可獲得質(zhì)量更好的檢測數(shù)據(jù)。在以手動(dòng)、手動(dòng)編碼、半自動(dòng)或自動(dòng)方式進(jìn)行掃查并收集數(shù)據(jù)時(shí),需使用不同的掃查器。
奧林巴斯的碳鋼焊縫檢測解決方案將奧林巴斯的采集設(shè)備、掃查器、探頭,以及根據(jù)用戶的需要量身定做的軟件結(jié)合在一起使用。這種解決方案可以進(jìn)行缺陷的長度和深度定量,以根據(jù)規(guī)范做出接收/拒絕的判斷。
復(fù)合式掃查
一次單組復(fù)合式掃查所覆蓋的區(qū)域相當(dāng)于兩個(gè)扇形掃查所覆蓋的區(qū)域奧林巴斯的NDT SetupBuilder更新版軟件提供了進(jìn)行復(fù)合式聲束掃查的性能。這項(xiàng)創(chuàng)新型檢測策略將扇形聲束和線性聲束混合在一起,進(jìn)行檢測,具有很多優(yōu)勢特性,例如:
更高的檢出率
檢測更厚的材料
更快的檢測速度
更短的設(shè)置和校準(zhǔn)時(shí)間
更快的數(shù)據(jù)分析
焊縫系列PA探頭和楔塊
A31和A32相控陣探頭和楔塊具有獨(dú)特性能,可使檢測達(dá)到更高的水平。
改進(jìn)了信噪比
符合人體工程學(xué)的設(shè)計(jì)
改進(jìn)了耦合效果
可以進(jìn)行復(fù)合式掃查
高溫檢測
如果用戶要求,我們可以提供一種與新款A(yù)31和A32相控陣探頭和奧林巴斯的Mini-Wheel(袖珍輪)編碼器相兼容的高溫楔塊選項(xiàng)。這種可選楔塊有助于對表面溫度高達(dá)150 ?C的工件進(jìn)行檢測。
次軸聚焦(PAF)楔塊
已獲得權(quán)的奧林巴斯次軸聚焦楔塊系列產(chǎn)品有助于補(bǔ)償次軸方向上的聲束擴(kuò)散問題,從而可以有效地進(jìn)行管道環(huán)焊縫的檢測。較小的聲束寬度可以在掃查軸方向上定量較短的缺陷,從而有助于降低廢品率。此外,由于聲束能量的聚焦改進(jìn)了信噪比(SNR),從而使缺陷圖像更加清晰。
雙矩陣(DMA)探頭包含兩個(gè)與同一個(gè)連接器連線的矩陣探頭,具有使用發(fā)送-接收縱波(TRL)聲束進(jìn)行檢測的能力。這類探頭在檢測帶堆焊層的管道或具有高衰減性的材料時(shí),特別有用。
相控陣探頭的優(yōu)勢特性
具有在粒狀材料中發(fā)送和接收縱波的能力
增強(qiáng)了在不銹鋼材料中的穿透能力,其中包括奧氏體、耐腐蝕合金,以及異種材料焊縫
出色的信噪比
典型應(yīng)用
A17、A25、A26和A27探頭
不銹鋼焊縫的應(yīng)用
耐腐蝕合金(CRA)
不銹鋼
奧氏體材料
帶堆焊層的管材
異種材料焊縫
用于腐蝕檢測的雙晶陣列探頭
雙晶線性陣列探頭,在腐蝕檢測應(yīng)用方面,為檢測人員提供了多種優(yōu)于常規(guī)超聲雙晶探頭的優(yōu)勢。這種相控陣解決方案可以提供更大的聲束覆蓋范圍、更快的掃查速度,以及具有更高數(shù)據(jù)點(diǎn)密度的C掃描成像功能,從而可提高檢測效率。
用于腐蝕檢測的雙晶線性陣列(DLA)探頭,與常規(guī)超聲雙晶探頭相比,具有更多優(yōu)勢特性。這種相控陣解決方案可以提供更大的聲束覆蓋范圍、更快的掃查速度,以及具有更高數(shù)據(jù)點(diǎn)密度的C掃描成像功能,從而可提高檢測效率。與標(biāo)準(zhǔn)相控陣脈沖回波相比,這種新探頭所采用的一發(fā)一收技術(shù)在腐蝕測量應(yīng)用中可提供更好的近表面分辨率和點(diǎn)蝕探測能力,提高了臨界性壁厚減薄情況的檢出率。得益于其內(nèi)置灌溉和可更好地貼附于管道弧面的可更換式延遲塊等新功能,雙晶線性陣列(DLA)腐蝕探頭現(xiàn)在可用于進(jìn)行自動(dòng)檢測。
探頭的優(yōu)勢和特性
可探測表面以下1毫米的缺陷
性價(jià)比較高的可更換式延遲塊
內(nèi)置灌溉
高溫選項(xiàng),可掃查熱表面
聲束覆蓋寬度高達(dá)30毫米
用途廣泛且調(diào)整迅速的系統(tǒng),適用于直徑從4英寸到平面材料的檢測
堅(jiān)固耐用的硬質(zhì)合金防磨板,可保護(hù)楔塊
碳鋼材料典型的檢測深度范圍為1毫米到80毫米
USB存儲盤中的OmniScan配置文件(MX、MX2和SX)
OmniScan軟件特性
側(cè)視圖、端視圖和俯視圖成像(B掃描、D掃描和C掃描)
完整的高分辨率A掃描存儲
兩個(gè)可配置的探測閘門
在OmniScan探傷儀或使用OmniPC軟件的計(jì)算機(jī)中進(jìn)行離線分析
新特性,新潛能
雙晶線性陣列(DLA)腐蝕探頭和OmniScan SX探傷儀的組合是一種經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的檢測選項(xiàng)。這種解決方案設(shè)置方便,操作簡單:加載所提供的設(shè)置文件,核查校準(zhǔn)情況,然后檢測并記錄數(shù)據(jù)。無需使用脈沖發(fā)生/接收(PR)儀器。無論是使用編碼器對某個(gè)區(qū)域進(jìn)行手動(dòng)掃查,還是使用MapROVER電動(dòng)掃查器進(jìn)行高速、全體積成像,雙晶線性陣列(DLA)腐蝕探頭都可以在光滑的表面上快速輕松地完成C掃描成像操作。創(chuàng)新型探頭穩(wěn)定系統(tǒng)與可更換式弧面延遲塊和灌溉功能相結(jié)合,可在直徑小至4英寸的管材表面提供優(yōu)質(zhì)的聲束傳播效果。我們還提供可檢測溫度高達(dá)150°C表面的雙晶線性陣列(DLA)腐蝕探頭的高溫版本。
在自動(dòng)檢測中與MapROVER掃查器一起使用的DLA腐蝕探頭。
雙晶陣列一發(fā)一收技術(shù)
與雙晶UT探頭一樣,雙晶線性陣列探頭包含一組發(fā)射晶片和一組接收晶片,這兩組晶片被分別安裝在以一定角度切割的延遲塊的兩部分上。這種配置生成在被測工件表面以下聚焦的聲束,從而可大幅降低表面反射的波幅。而且還提高了近表面分辨率,可獲得點(diǎn)蝕、蠕變損傷和HIC(氫致裂紋)等關(guān)鍵性缺陷的更高的檢出率。