上海菲茲電子科技有限公司全新銷售功率半導體產(chǎn)品及配套器件，是功率半導體行業(yè)企業(yè)。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽，在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)形象，同時菲茲與多家電力電子行業(yè)和上市公司長期保持著穩(wěn)定互信的合作關系，也是眾多電子廠商（三菱、英飛凌、西門康，艾塞斯，尼爾，ABB，西瑪，三社、宏微等）的優(yōu)良誠信分銷商。通過多年的實戰(zhàn)經(jīng)驗，菲茲人積累了堅實的功率半導體應用知識，為電力拖動、風力發(fā)電、電焊機、變頻器、高頻感應加熱、逆變電源、電力機車等行業(yè)提供完善的解決方案，為客戶提供完整的技術(shù)支持！
一般而言，對于損耗比較?。?lt;3.0W）的元器件都可以采用自然冷卻的方式來解決元器件的散熱問題。當整流橋的損耗不大時，可采用自然冷卻方式來處理。此時，整流橋的散熱途徑主要有以下兩個方面：整流橋的殼體（包括前后兩個比較大的散熱面和上下與左右散熱面）和整流橋的四個引腳。通常情況下，整流橋的上下和左右的殼體表面積相對于前后面積都比較小，因此在分析時都不考慮通過這四個面（上下與左右表面）的散熱。

整流橋殼體正面表面的溫度分布。從上圖可以看出，整流橋殼體正面的溫度分布是極不均勻的，在熱源（二極管）的正上方其表面溫度達到109 ℃，然而在整流橋的中間位置，遠離熱源處卻只有75 ℃，其表面的溫差可達到34℃左右。這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導熱性能較差的FR4（其導熱系數(shù)小于3.0W/m.℃），因此它對整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時，這也驗證了為什么我們在采用整流橋殼體正表面溫度作為計算的殼溫時，對測溫熱電偶位置的放置不同，得到的結(jié)果其離散性很差這一原因。圖8是整流橋內(nèi)部熱源中間截面的溫度分布。由該圖也可以進一步說明，在整流橋內(nèi)部由于器封裝材料是導熱性能較差的FR4，所以其內(nèi)部的溫度分布極不均勻。我們以后在測量或分析整流橋或相關的其它功率元器件溫度分布時，應著重注意該現(xiàn)象，力圖避免該影響對測量或測試結(jié)果產(chǎn)生的影響。

在整流橋的每個工作周期內(nèi)，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管的單向?qū)üδ埽呀涣麟娹D(zhuǎn)換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋（如：RECTRON SEMICONDUCTOR的RS2501M）進行解剖會發(fā)現(xiàn)，其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)如圖2所示，該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)構(gòu)（大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式）。橋內(nèi)的四個主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板，他們分別與輸入引腳（交流輸入導線）相連，形成我們在外觀上看見的有四個對外連接引腳的全波整流橋。由于該系列整流橋都是采用塑料封裝結(jié)構(gòu)，在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導線的周圍充滿了作為絕緣、導熱的骨架填充物質(zhì)——環(huán)氧樹脂。然而，環(huán)氧樹脂的導熱系數(shù)是比較低的（一般為0.35℃W/m，為2.5℃W/m），因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大（通常為1.0~10℃/W）。通常情況下，在元器件的相關參數(shù)表里，生產(chǎn)廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻（Rja）和當元器件自帶一散熱器，通過散熱器進行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻（Rjc）。

整流橋就是將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。
我司主營產(chǎn)品如下：
1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產(chǎn)品；
2、CDE、EACO、日立全系列電容產(chǎn)品；
3、富士、三菱、英飛凌、西門康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品；
4、建準全系列風機；
5、CONCEPT及驅(qū)動板；
6、富士通單片機及其它配套產(chǎn)品；