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igbt驅(qū)動(dòng)電路的簡介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

驅(qū)動(dòng)芯片的輸出電流必須保持恒定，以便LED能夠穩(wěn)定地發(fā)光且不閃爍。同一批次的驅(qū)動(dòng)芯片在相同的條件下使用，其輸出電流的大小應(yīng)盡可能一致，即分散度盡可能小，以便在大規(guī)模自動(dòng)化生產(chǎn)線上生產(chǎn)時(shí)能保證高x效、有序。如果驅(qū)動(dòng)芯片的輸出電流具有一定的離散性，則必須進(jìn)行分檔選擇，在出廠或投入生產(chǎn)線之前，調(diào)整PCB板電流設(shè)定電阻的阻值大小，使所生產(chǎn)的LED燈具恒流驅(qū)動(dòng)板對同類LED光源發(fā)光亮度一致，以保證產(chǎn)品的一致性。

由于LED是敏感特性的半導(dǎo)體器件，又具有負(fù)溫特性，所以LED驅(qū)動(dòng)電源(也稱為驅(qū)動(dòng)器)是在應(yīng)用過程中保護(hù)它穩(wěn)定工作狀態(tài)的。

LED器件對驅(qū)動(dòng)電源的要求幾乎是苛刻的，與普通白熾燈泡不同的是，LED可以與220V交流電力直接連接。LED驅(qū)動(dòng)器是低電壓驅(qū)動(dòng)，需要設(shè)計(jì)復(fù)雜的轉(zhuǎn)換電路，LED燈有不同的用途，電源適配器也有不同的配置。一個(gè)好的電源設(shè)計(jì)必須綜合考慮各種因素，如效率轉(zhuǎn)換，有效功率，恒流精度，電源壽命，電磁兼容性等，因?yàn)殡娫丛谡麄€(gè)燈具中的作用如同人的心臟一樣重要。

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