半橋驅(qū)動(dòng)ic批發(fā) 激光驅(qū)動(dòng)ic公司 瑞泰威驅(qū)動(dòng)IC
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深圳市瑞泰威科技有限公司

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可售賣地 全國(guó)
產(chǎn)地 中國(guó)
發(fā)票 支持
型號(hào)規(guī)格 齊全
數(shù)量 9999
貨源類別 現(xiàn)貨
電源電壓 正常標(biāo)準(zhǔn)
品牌 瑞泰威
供貨方式 加工、定制、銷售
報(bào)價(jià)方式 按實(shí)際訂單報(bào)價(jià)為準(zhǔn)
特色服務(wù) 全新原裝正品 24小時(shí)內(nèi)發(fā)貨
配送服務(wù) 同城可配送到廠,其他可以快遞、物流、貨運(yùn)
倉(cāng)庫(kù)地址 深圳市南山區(qū)桃源街道峰景社區(qū)龍珠大道040號(hào)梅州大廈1511
產(chǎn)品編號(hào) 13808322
商品介紹
深圳市瑞泰威科技有限公司主營(yíng):各類驅(qū)動(dòng)IC,存儲(chǔ)IC,傳感器IC,觸摸IC銷售,




驅(qū)動(dòng)ic是什么

顯示驅(qū)動(dòng)ic是顯示屏成像系統(tǒng)的主要部分,是集成了電阻,調(diào)節(jié)器,比較器和功率晶體管等部件的,包括 lcd 模塊和顯示子系統(tǒng), 負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)顯示器和控制驅(qū)動(dòng)電流等功能,分為靜態(tài)驅(qū)動(dòng)和動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)兩種方法。




ic的組成:

1、ram 靜態(tài)顯示器結(jié)構(gòu)為 32×4 位, 貯存所顯示的數(shù)據(jù)。 ram 的內(nèi)容直接映射成 lcd 驅(qū)動(dòng)器的內(nèi)容。 ram 中的數(shù)據(jù)可被 read, write 和 read—modify—write 命令存取。

2、系統(tǒng)振蕩器cms1621系統(tǒng)時(shí)鐘用來(lái)產(chǎn)生時(shí)基/wdt 電路的時(shí)鐘、lcd 驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘和蜂鳴頻率。時(shí)鐘可以來(lái)自片內(nèi) rc 振蕩器、晶體振蕩器、或由 s/w 設(shè)置的外部 256 khz 的時(shí)鐘。

3、時(shí)間基準(zhǔn)和看門狗定時(shí)器 時(shí)基發(fā)生器是由 8 級(jí)遞增計(jì)數(shù)器構(gòu)成,用7a686964616f31333431356633來(lái)設(shè)計(jì)生產(chǎn)一個(gè)的時(shí)間基準(zhǔn)。 看門狗定時(shí)器由 8 級(jí)時(shí)基發(fā)生器和一個(gè) 2 級(jí)遞增計(jì)數(shù)器組成,在非正常狀態(tài)下(未知的或不希望的跳轉(zhuǎn)、 執(zhí)行錯(cuò)誤等),用來(lái)停止主控器或其它子系統(tǒng)。



IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)(一)

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。



輸出特性與轉(zhuǎn)移特性:

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí),集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似,也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開(kāi)關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同,當(dāng)柵極電壓VGE小于開(kāi)啟電壓VGE(th)時(shí),IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi),IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對(duì)比:

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn):熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。



瑞泰威電子元件經(jīng)銷商告訴你LED顯示器驅(qū)動(dòng)器IC對(duì)于micro-LED特小間隔顯示器燈板室內(nèi)空間做更合理地應(yīng)用,高融合作用能合理減縮布件室內(nèi)空間及部件的總數(shù);


此外,在畫質(zhì)主要表現(xiàn)上,低更亮可靠性一直是修羅神欣賞間距與顯示信息實(shí)際效果的重要,單一色調(diào)均值恒流電源驅(qū)動(dòng)器至少能致15uA,灰度級(jí)數(shù)可做到16bit,使顯示信息界面的飽和度與勻稱性更為細(xì)致,另外也可以做到環(huán)保節(jié)能低能耗的實(shí)際效果。




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