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MOSFET幾種典型驅(qū)動電路（二）

模擬電路

有一段時間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計工程師的，因為模擬電路設(shè)計重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進(jìn)，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因為結(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代。

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設(shè)計模擬電路的另外一個優(yōu)點也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本獨立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競爭優(yōu)勢，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計出效能更好的產(chǎn)品。

用什么直流電機(jī)驅(qū)動芯片（二）

2 ML4428原理圖及功能實現(xiàn)

ML4428電機(jī)控制器不用霍爾傳感器就可為Y形無刷直流電機(jī)(BLDC)提供起動和調(diào)速所需的各種功能。它采用28腳雙列表面SOIC封裝，它的內(nèi)部框圖如圖1所示〔1〕，ML4428使用鎖相環(huán)技術(shù)，從電機(jī)線圈檢測反電勢，確定換向次序；采用專門的反電勢檢測技術(shù)，可實現(xiàn)三相無刷直流換向且不受PWM噪聲及電機(jī)緩沖電路的影響；采用了檢查轉(zhuǎn)子位置并準(zhǔn)確對電機(jī)加速的起動技術(shù)，確保起動時電機(jī)不會反轉(zhuǎn)并可縮短起動時間。

2.1 反電勢檢測信號的獲得

無位置傳感器無刷直流電動機(jī)的控制與有位置傳感器無刷直流電機(jī)控制的根本區(qū)別就是利用反電勢的波形尋找換向點。當(dāng)永磁無刷直流電動機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)時，各相繞組的反電動勢(EMF)與轉(zhuǎn)子位置密切相關(guān)。由于各相繞組是交替導(dǎo)通工作的，在某相不導(dǎo)通的時刻，其反電動勢波形的某些特殊點，可代替轉(zhuǎn)子位置傳感器的功能，得到所需要的信息。

由于對于單相反電動勢波形圖，反電動勢過零點30°處對應(yīng)繞組的換向信號，找出反電動勢過零點，即反電動勢檢測的任務(wù)〔2〕?；谶@一原理，在該芯片內(nèi)設(shè)計了一個獨特的反電勢檢測電路(見圖2)，由于有了中點模擬電路，不需從電機(jī)三相繞組中引出中線

存儲芯片內(nèi)地發(fā)展的影響

價錢：減價或成大勢所趨

獲益于中下游智能機(jī)、AI、大數(shù)據(jù)中心、轎車、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等多極運(yùn)用的驅(qū)動器，存儲芯片銷售市場有希望持續(xù)保持高提高。美光預(yù)估17年至二零二一年，DRAM要求復(fù)合型增長率將達(dá)20%，NAND位要求復(fù)合型增長率將達(dá)40-45%。

存儲芯片的價格上漲由需求量很高剛開始，是不是不斷還得看供求。要求是遲緩提高，而提供會忽然提升，伴隨著國際性大型廠生產(chǎn)能力釋放出來及其內(nèi)地儲存新項目有序推進(jìn)，存儲芯片價格波動或成大勢所趨。