晶型主要為β-碳化硅，純度高，長徑比大、表面光潔度高、直徑率高、晶須中顆粒含量少，具有高強(qiáng)、高模等諸多優(yōu)良的機(jī)械性能。
如其他規(guī)格要求，可以接受定制。

技術(shù)優(yōu)勢：

l  SiCw晶須含量高（基本為SiCw純晶須）

l  直徑較大(~ 500 nm)、直徑分布窄

l  直晶率高(~ )

l  長度均勻(~12μm)

l  純度高(SiC含量大于99wt%)

l 具有優(yōu)良的易分散性

主要用途：
1.作為增強(qiáng)組元加入塑料基體、金屬基體或陶瓷基體起到增強(qiáng)和增韌的作用；
2.利用Sic材料的高熱導(dǎo)、高絕緣性、在電子工業(yè)中作大規(guī)模集成電路的基片和封裝材料；
3.作為信息光學(xué)材料在電視顯示、現(xiàn)代通信、網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域具有很高的應(yīng)用價值；

4.在航空航天工業(yè)工業(yè)部門具有特殊作用，主要是在飛機(jī)、*的外殼上的應(yīng)用以及發(fā)動機(jī)、高溫渦輪轉(zhuǎn)子、特種部件的應(yīng)用。

應(yīng)用舉例：
1：在C/C復(fù)合材料抗氧化涂層中的應(yīng)用
碳/碳(C/C)復(fù)合材料是新型高溫結(jié)構(gòu)材料，但是在使用環(huán)境氣氛中容易破壞，用SiCw增韌C/C復(fù)合材料高溫氧化防護(hù)的涂層中，不僅能使SiCw與基體的層間剪切強(qiáng)度提高，而且可以使其內(nèi)部裂紋的擴(kuò)展得到緩沖或阻止。研究表明，有SiCw涂層C/C復(fù)合材料在空氣中氧化后的質(zhì)量損失0.7%，沒有涂層的質(zhì)量損失高達(dá)15%12。
2： 增韌Si3N4陶瓷及對其熱震性的影響
Si3N4陶瓷在高溫結(jié)構(gòu)材料領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，但其脆性使其應(yīng)用受到一定限制。所以Si3N4研究的主要方向是提高韌性。SiCw對減少熱沖擊導(dǎo)致裂紋擴(kuò)展起著重要作用，研究表明，復(fù)合材料中的SiCw和Si3N4顆粒的加入可大幅提高其斷裂韌性、抗彎強(qiáng)度和維氏硬度。據(jù)分析為細(xì)晶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化的綜合作用使復(fù)合材料增韌。
3： 增韌Al2O3陶瓷
研究表明，在氧化鋁基材料中加入20 wt%的SiCw，可以將材料的斷裂韌性從不足3.0 MPa·m1/2增加到8.5 MPa·m1/2，將其抗折強(qiáng)度從 400 MPa 提高到約800 MPa16。
4：增強(qiáng)環(huán)氧樹脂基復(fù)合材料導(dǎo)熱性能
環(huán)氧樹脂（ER）廣泛用于機(jī)械、涂料、電子電氣、化工以及航天航空等領(lǐng)域。SiCw作為一種共價化合物，可作為ER的填料，以滿足電子元器件的高性能化、微型化、高電絕緣、高導(dǎo)熱、低膨脹性等工作環(huán)境要求。研究表明，隨SiCw含量增加，SiCw/ER復(fù)合材料導(dǎo)熱系數(shù)增大。此外，SiCw可有效降低ER的玻璃化溫度。不過，隨著添加率的升高，沖擊強(qiáng)度和彎曲強(qiáng)度呈先升后降的趨勢。
5：高溫涂層增韌
加入適量SiCw可有效提供高溫涂層的韌性，抑制涂層開裂。本公司開發(fā)的SiCw具有出色的抗氧化效果，能適應(yīng)涂層使用的苛刻環(huán)境，已經(jīng)成功在某研究院進(jìn)行中試實驗。
推薦工藝
1 SiCw分散
分散SiCw時，取去離子水、超純水的質(zhì)量比一般選擇1:20至1:50，漿料上層無明顯的液相層存在為宜。漿料用機(jī)械攪拌或砂磨分散方式進(jìn)行分散，時間為1-7小時為宜，并且應(yīng)當(dāng)持續(xù)觀察，使?jié){料均勻分散。
2 SiCw添加量
普通陶瓷基復(fù)合材料中，一般添加10 wt%以內(nèi)的SiCw。具體工藝優(yōu)化過程中，推薦從2 wt%開始，逐步實驗、優(yōu)化。根據(jù)實驗實踐，加入量并不一定越高越好，它與原料、材料尺寸、燒結(jié)制度相關(guān)，合理的加入量能夠獲得*的增韌效果。
3 SiCw與基體（陶瓷）粉末混合
向分散好的SiCw漿料中緩慢加入陶瓷粉體，繼續(xù)分散1-12小時，推薦砂磨分散（塑料小球）或機(jī)械攪拌方式，采用球磨方式易導(dǎo)致晶須折斷。
若SiCw與基體材料混合性較差時，可加入SiCw質(zhì)量1%的六偏磷酸鈉（或少量異丙醇/乙醇）作為分散劑，可提高混合均勻性。
砂磨或攪拌分散結(jié)束后應(yīng)立即進(jìn)行干燥脫水，把漿料倒入面積大的器皿中攤薄，增大面積易于蒸發(fā)脫水。更重要的是避免晶須與基體原料的分層，推薦干燥溫度110-160℃。
4：SiCw增強(qiáng)陶瓷的燒制
將干燥后的混合料粉碎后過篩，得到原料粉體，加壓成型后制成坯體。成型的坯體，在保護(hù)氣氛下或封閉處理（避免晶須過度氧化），按照一定的燒成制度進(jìn)行燒結(jié)。應(yīng)根據(jù)未添加SiCw的燒結(jié)工藝適當(dāng)調(diào)整，以獲得*性能。致密的SiCw增韌陶瓷在空氣中的實際使用溫度可達(dá)1200℃以上。