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LED電源驅(qū)動(dòng)IC燒掉是什么原因引起的

LED電源驅(qū)動(dòng)IC燒掉的原因有電器元件IC本身有問(wèn)題，也可能是電流電壓過(guò)高。

LED需要的電流和電壓的穩(wěn)定組件，在工作時(shí)，應(yīng)當(dāng)具有高的分壓電壓和低功耗的，否則，的LED會(huì)降低整個(gè)系統(tǒng)的效率，因?yàn)楣ぷ飨母?，矛盾的原則，節(jié)能和。因此，主電流限制電路，應(yīng)使用的電路，如電容，電感或與電源開(kāi)關(guān)電路，因?yàn)樗锌赡艽骐娮杌虼?lián)穩(wěn)壓電路的LED系統(tǒng)，以確保。系列恒功率輸出電路，可以在廣泛的電源LED的光輸出保持不變，但會(huì)失去一些正常的IC電路效率。通過(guò)與電源開(kāi)關(guān)電路是能保證恒定的功率輸出下具有高的轉(zhuǎn)印效率的電源供應(yīng)器的戲劇性的電壓變化。

igbt驅(qū)動(dòng)電路的簡(jiǎn)介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱(chēng)為源區(qū)，附于其上的電極稱(chēng)為源極。N+ 區(qū)稱(chēng)為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱(chēng)為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱(chēng)為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱(chēng)為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱(chēng)為漏極。

IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

?晶片購(gòu)買(mǎi)價(jià)格

對(duì)芯片的采購(gòu)，分為前期和后期兩個(gè)階段。

晶片采購(gòu)前期，就是晶片的選擇，品牌的選擇，數(shù)量的確定，在項(xiàng)目電路方案評(píng)審之前，是工程師的主要工作內(nèi)容，工程師對(duì)項(xiàng)目的方案BOM表進(jìn)行審核，并以此初步估算項(xiàng)目的成本。

晚些時(shí)候，是芯片的批量采購(gòu)，是根據(jù)工程師提供的BOM表，和芯片供應(yīng)商商談后的批量采購(gòu)價(jià)格。

晶片的終批量采購(gòu)價(jià)格，一般是在前期工程師晶片采購(gòu)價(jià)格估算的基礎(chǔ)上，多次與廠商進(jìn)行降價(jià)的結(jié)果。它還可以解釋工程師們關(guān)注芯片采購(gòu)的必要性。