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igbt驅(qū)動電路的簡介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。

商品一體化也可能變成LED顯示器驅(qū)動器IC的關(guān)鍵發(fā)展趨向,伴隨著LED顯示器清晰度間隔的快速降低,企業(yè)總面積上應(yīng)貼片的封裝元器件以幾何倍數(shù)提高,大大增加摸組驅(qū)動器面的電子器件相對密度。

這般擁堵電子器件的排序,非常容易導(dǎo)致電焊焊接欠佳等難題,也減少了摸組的可信性。驅(qū)動器IC越來越少的使用量,PCB更大的走線總面積,來源于運(yùn)用端要求讓驅(qū)動器IC務(wù)必踏入了高集成化的關(guān)鍵技術(shù)。

東芝——?TB9058FNG芯片

該新IC通過外部LIN總線接收電機(jī)轉(zhuǎn)動目標(biāo)的位置數(shù)據(jù)，然后驅(qū)動電機(jī)至目標(biāo)位置。

因?yàn)檫@款I(lǐng)C具有H橋電機(jī)驅(qū)動器的硬件邏輯和帶增強(qiáng)校驗(yàn)和[1]的LIN通信功能，所以無需軟件開發(fā)。它能夠檢測過壓、過流和過溫，防止異常工作狀況。

該新IC的工作溫度范圍是-40到125℃，符合汽車應(yīng)用要求并將通過AEC-Q100認(rèn)證。

主要特性

? 全硬件邏輯，簡化控制；

-無需軟件開發(fā)。LIN通信控制電機(jī)。

?為車載空調(diào)風(fēng)門控制驅(qū)動器提供行業(yè)下限水平[2]導(dǎo)通電阻與功耗；

-導(dǎo)通電阻（高+低）：2.2Ω（典型值）

-功耗：低于10μA（休眠模式）

?一條總線頂多可連接16個從節(jié)點(diǎn)；

-用開關(guān)引腳可設(shè)置16個節(jié)點(diǎn)ID。

?帶有標(biāo)志輸出的多項異常檢測功能。

-檢測過壓、過流和過溫。

主要應(yīng)用

車載空調(diào)風(fēng)門控制驅(qū)動器。