PR1-2000A1 試驗操作流程

PR1-2000A1的厚度范圍可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm為列；

1,靜態(tài)滴膠后以1300轉/分速度持續(xù)40秒。同時必須需要在1秒內達到從0轉/分到1300轉/分的升速度；

2，前烘：熱板120度120秒；

3，冷卻至室溫；

4，用波長為365,406,436的波長曝光，

5，在溫度為20-25度，使用RD6浸泡式、噴霧、顯影 ；

6，去除光刻膠，可使用CH3COCH3，RR5,RR41等。

光刻膠工藝

主要用于半導體圖形化工藝，是半導體制造過程中的重要步驟。光刻工藝利用化學反應原理把事先制備在掩模上的圖形轉印到晶圓，完成工藝的設備光刻機和光刻膠都是占半導體芯片工廠資產的大頭。

在目前比較主流的半導體制造工藝中，一般需要40 步以上獨立的光刻步驟，貫穿了半導體制造的整個流程，光刻工藝的先進程度決定了半導體制造工藝的先進程度。光刻過程中所用到的光刻機是半導體制造中的核心設備。目前，ASML 的NXE3400B售價在一億歐元以上，媲美一架F35 戰(zhàn)斗機。

按曝光波長，光刻膠可分為紫外（300~450 nm）光刻膠、深紫外（160~280 nm）光刻膠、極紫外（EUV，13.5 nm）光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。按照應用領域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示（LCD）用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低，而半導體光刻膠代表著光刻膠技術先進水平。

為什么現在還有人使用負性膠

劃分光刻膠的一個基本的類別是它的極性。光刻膠在曝光之后，被浸入顯影溶液中。在顯影過程中，正性光刻膠曝過光的區(qū)域溶解得要快得多。理想情況下，未曝光的區(qū)域保持不變。負性光刻膠正好相反，在顯影劑中未曝光的區(qū)域將溶解，而曝光的區(qū)域被保留。正性膠的分辨力往往是較好的，因此在IC制造中的應用更為普及，但MEMS系統(tǒng)中，由于加工要求相對較低，光刻膠需求量大，負性膠仍有應用市場。

期望大家在選購光刻膠時多一份細心，少一份浮躁，不要錯過細節(jié)疑問。想要了解更多光刻膠的相關資訊，歡迎撥打圖片上的熱線電話?。?！