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IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)（二）

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級(jí)的漏電流流過，基本上不消耗功率。

液晶顯示驅(qū)動(dòng)之靜態(tài)驅(qū)動(dòng)法介紹

靜態(tài)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器法是取得好顯示信息品質(zhì)的基礎(chǔ)的方式。它適用筆段型液晶顯示屏元器件的驅(qū)動(dòng)器。表一示出該類液晶顯示屏元器件的電級(jí)構(gòu)造，當(dāng)多名數(shù)字組合時(shí)，諸位的背電級(jí)BP是聯(lián)接在一起的。

震蕩器的差分信號(hào)經(jīng)分音器后立即釋放在液晶顯示屏元器件的背電級(jí)BP上，而段電級(jí)的差分信號(hào)是由顯示信息挑選數(shù)據(jù)信號(hào)A與時(shí)序單脈沖根據(jù)邏輯性異或生成造成，當(dāng)一位顯示信息清晰度被顯示信息挑選時(shí)，A=1,該顯示信息清晰度上兩電級(jí)的單脈沖工作電壓位置相距180.,在顯示信息清晰度上造成2V的工作電壓脈沖序列，使該顯示信息清晰度展現(xiàn)顯示信息特點(diǎn)；當(dāng)一位顯示信息清晰度為非顯示信息挑選時(shí)，A=0,該顯示信息清晰度上兩電級(jí)的單脈沖工作電壓位置同樣，在顯示信息清晰度上生成工作電壓單脈沖為0V,進(jìn)而完成無法顯示的實(shí)際效果。這就是靜態(tài)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器法。以便提升顯示信息的飽和度，適度地調(diào)節(jié)單脈沖的工作電壓就可以。

電流線性LED驅(qū)動(dòng)Ic

LED 電流可通過專用引腳上的高奧姆電阻輕松調(diào)整，IC 供電電壓范圍介于 6 V 至 42 V 之間。具備智能型過熱控制電路設(shè)計(jì)，可在溫度上升時(shí)保持恒定電流，提供安全可靠的運(yùn)作效能，并延長 LED 系統(tǒng)壽命。此外，驅(qū)動(dòng)器只會(huì)在接面溫度變得很高時(shí)降低 LED 電流。BCR431U 擁有可低達(dá) 1% 等級(jí)的調(diào)光亮度，對(duì)多種 LED 燈條設(shè)計(jì)極具吸引力。

瑞泰威驅(qū)動(dòng)IC廠家，是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。