深圳記憶半導(dǎo)體有限公司
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主營產(chǎn)品: SAMSUNG, SK Hynix, MICRON, Cypress, ISSI, TOSHIBA, Nanya, Winbond的消費(fèi)類應(yīng)用以及工業(yè)級別的DRAM, SRAM, NAND FLASH, NOR FLASH, EMMC, MCP。2,SPI Flash, MCU單片機(jī), EPROM燒錄程序, 測試, 清空。3,終端廠商, OEM庫存呆料寄售回收。
PC28F512P30TFB-鎂光并口NOR閃存
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廣東省深圳市
PC28F512P30TFB MICRON(美光)NOR閃存 原廠原裝
生產(chǎn)商:MICRON(美光科技)
產(chǎn)品類別:NOR型閃存
系列:-
存儲格式:閃存
存儲技術(shù):FLASH-NOR
存儲容量:512Mb
存儲接口:并聯(lián)
時(shí)鐘頻率:52MHz
寫入時(shí)間:100ns
訪問時(shí)間:100ns
電壓-電源:1.7V ~ 2V
工作溫度:-40°C ~ 85°C
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TBGA-64
原廠包裝:托盤
零件狀態(tài):批量生產(chǎn)
產(chǎn)品用途:MICRON(美光)的NOR閃存芯片主要應(yīng)用于服務(wù)器,智能電視,視頻監(jiān)控,汽車電子,物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,網(wǎng)絡(luò)機(jī)頂盒,通信設(shè)備,平板電腦等消費(fèi)類以及工業(yè)類電子設(shè)備,是全球第二大存儲器供應(yīng)商。我司供應(yīng)的產(chǎn)品包含MICRON的DRAM,NAND,NOR閃存,eMMC,eMCP嵌入式存儲等全系列存儲產(chǎn)品。
NOR閃存的基本原理
NAND與NOR兩者在基本的數(shù)據(jù)存儲方式和操作機(jī)理上都大致相同。閃存以單晶體管作為二進(jìn)制信號的存儲單元,它的結(jié)構(gòu)與普通的半導(dǎo)體晶體管(場效應(yīng)管)非常類似,區(qū)別在于閃存的晶體管加入了“浮動(dòng)?xùn)?floating gate)”和“控制柵(Control gate)”—前者用于貯存電子,表面被一層硅氧化物絕緣體所包覆,并通過電容與控制柵相耦合。當(dāng)負(fù)電子在控制柵的作用下被注入到浮動(dòng)?xùn)胖袝r(shí),該NAND單晶體管的存儲狀態(tài)就由1變成0。相對來說,當(dāng)負(fù)電子從浮動(dòng)?xùn)胖幸谱吆?,存儲狀態(tài)就由0變成1;而包覆在浮動(dòng)?xùn)疟砻娴慕^緣體的作用就是將內(nèi)部的電子“困住”,達(dá)到保存數(shù)據(jù)的目的。如果要寫入數(shù)據(jù),就必須將浮動(dòng)?xùn)胖械呢?fù)電子全部移走,令目標(biāo)存儲區(qū)域都處于1狀態(tài),這樣只有遇到數(shù)據(jù)0時(shí)才發(fā)生寫入動(dòng)作—但這個(gè)過程需要耗費(fèi)不短的時(shí)間,導(dǎo)致不管是NAND還是NOR型閃存,其寫入速度總是慢于數(shù)據(jù)讀取的速度。雖然基本原理相同,但閃存可以有不同的電荷生成與存儲方案。其中應(yīng)用最廣泛的是“通道熱電子編程(Channel Hot Electron,CHE)”,該方法通過對控制柵施加高電壓,使傳導(dǎo)電子在電場的作用下突破絕緣體的屏障進(jìn)入到浮動(dòng)?xùn)艃?nèi)部,反之亦然,以此來完成寫入或者抹除動(dòng)作;另一種方法被稱為“Fowler-Nordheim(FN)隧道效應(yīng)法”,它是直接在絕緣層兩側(cè)施加高電壓形成高強(qiáng)度電場,幫助電子穿越氧化層通道進(jìn)出浮動(dòng)?xùn)?。NOR閃存同時(shí)使用上述兩種方法,CHE用于數(shù)據(jù)寫入,支持單字節(jié)或單字編程;FN法則用于擦除,但NOR不能單字節(jié)擦除,必須以塊為單位或?qū)φ瑓^(qū)域執(zhí)行擦除操作,由于擦除和編程速度慢、塊尺寸也較大,使得NOR閃存在擦除和編程操作中所花費(fèi)的時(shí)間很長,無法勝任純數(shù)據(jù)存儲和文件存儲之類的應(yīng)用,但它的優(yōu)點(diǎn)是可支持代碼本地直接運(yùn)行;其次,NOR閃存采用隨機(jī)存儲方式,設(shè)備可以直接存取任意區(qū)域的數(shù)據(jù),因此NOR閃存底部有大量的信號引腳,且每個(gè)單晶體管都需要輔助讀寫的邏輯,晶體管利用效率較低、容量不占優(yōu)勢。而NAND閃存采用FN法寫入和擦除,且采用一種“頁面-塊”尋址的統(tǒng)一存儲方式,單晶體管的結(jié)構(gòu)相對簡單,存儲密度較高,擦除動(dòng)作很快,但缺陷在于讀出性能平平且不支持代碼本地執(zhí)行。另一個(gè)不可忽視的地方在于,NAND閃存很容易出現(xiàn)壞塊,制造商通過虛擬映射的方式將其屏蔽。但是,NOR型閃存理論擦寫次數(shù)約為10萬次,NAND型閃存理論擦寫次數(shù)約為100萬次,壽命上NAND型閃存要占優(yōu)勢。
NOR閃存特點(diǎn)
NOR型閃存更像內(nèi)存,有獨(dú)立的地址線和數(shù)據(jù)線,NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。
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