TPD4E05U06DQAR USON10 TVS二極管芯片
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TPD4E05U06DQAR-USON10-TVS二極管芯片

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型號(hào) TPD4E05U06DQAR
品牌 TI
封裝 USON10
環(huán)保類(lèi)別 普通型
安裝方式 貼片式
包裝方式 卷帶編帶包裝
功率特性 中功率
頻率特性 中頻
最大整流電流 *
最大反向擊穿電流 *
數(shù)量 360000
商品介紹

TPD4E05U06DQAR絲印79BRY USON10 TVS電路保護(hù)二極管芯片全新原裝

TVS瞬態(tài)電壓抑制

這里不論TV是如何產(chǎn)生的,比如直接或者間接的雷擊,靜電放電,大容量的負(fù)載投切等因素導(dǎo)致的浪涌.電壓從幾伏到幾十千伏甚至更高.

ESD靜電放電保護(hù)

這里的ES主要是三種模型所表述.

其中主要應(yīng)用是HBM 和 MM,簡(jiǎn)單說(shuō),就是人或者設(shè)備對(duì)器件放電(靜電),但是器件不能損壞.

典型的HBM CLASS 1C模型規(guī)定 一個(gè)充電1000V-2000V的100pF的電容通過(guò)一個(gè)1500歐姆的電阻對(duì)器件放電

MM模型要比人體模型能量大一些.電容是200pF,電壓大概在200-400之間,不過(guò)沒(méi)有串聯(lián)電阻了.

典型的人體模型放電,峰值電流小于0.75A,時(shí)間150ns  典型的機(jī)器模型放電,峰值電流小于8A,時(shí)間5ns

典型的雷擊浪涌(電力線(xiàn)入線(xiàn)處使用的TVS)峰值電流3000A,時(shí)間20us

原理是一樣的,但根據(jù)功率和封裝來(lái)分就不一樣.

ESD和TVS比較的話(huà),要看用在那些用途上,像ESD主要是用來(lái)防靜電,防靜電就要求電容值低,一般是1--3.5PF之間為最好.而TVS就做不到這一點(diǎn),TVS的電容值比較高.



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