濟南藍光同茂科技有限公司
主營產(chǎn)品: 其他行業(yè)專用設備
電子金屬雕刻機-銘牌金屬雕刻機-藍光同茂
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山東省濟南市
主營產(chǎn)品
藍光同茂廣告標牌設備公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售于一體的國內(nèi)高新企業(yè)。產(chǎn)品范圍包括:金屬雕刻機,標牌機,銘牌機,腐蝕機,蝕刻機,標牌設備,電鍍設備,電鑄機,電刷鍍機,鍍金機,堆金機,電泳設備,上色機,版畫機,打標機,拋光機,鋁氧化著色設備,數(shù)碼標牌設備,3D彩印打印機,大型3D熱轉移機,立體玻雕機等,我公司致力于高質量的產(chǎn)品和完善的技術服務活躍在各個領域。
以不銹鋼US304的腐蝕加工為主
蝕刻機里添加化學蝕刻液為:三氯化鐵
化學式:FeCl3=FeCl3·6H2O
一.蝕刻液佳條件
波美度: 38°—42°
藥液溫度: 45°—50°
PH值測量區(qū)間:1PH-3PH
氧化劑 FeCl3
二.新反應過程
三氯化鐵蝕刻液對不銹鋼的蝕刻是一個“氧化---還原”過程:
1.氧化反應:2FeCl3+Fe=3FeCl2
三氯化鐵+不銹鋼+水=氯化亞鐵+板材蝕刻成品+水+不銹鋼雜質
三.藥性減低的原因及還原方式
隨著化學反應的進行,蝕刻液藥性降低,是因為三氯化鐵氧化成了氯化亞鐵,此時需要將氯化亞鐵還原成三氯化鐵增加藥液酸性。需加入酸鈉水溶液(還原劑)﹑鹽酸
2.還原反應:2FeCl2+NaClO+2HCL﹦2FeCl3+NaCl+H2O
氯化亞鐵+酸鈉+鹽酸=三氯化鐵+氯化鈉+水(由于亞鐵離子在水中極易水解而產(chǎn)生氫氧化亞鐵:FeCl2+H2O=,Fe(OH)2+HCL所以為了防止氯化亞鐵水解變質,常在氯化亞鐵溶液中添加一些鹽酸.)
3.由于鹽酸容易揮發(fā),隨著化學反應的進行,還會發(fā)生以下反應:
6FeCl2+NaClo+3H2O=4FeCl3+2Fe(OH)3 ↓+NaCl
氯化亞鐵水=三氯化鐵+氫氧化鐵(沉淀物)+氯化鈉
(其中氫氧化鐵為沉淀物,所以隨著化學反應時間的加長,藥箱內(nèi)會出現(xiàn)粘稠狀物質。除去該粘稠狀沉淀物,需采用物理過濾方式,如:過濾網(wǎng)過濾或凈水裝置)
藍光同茂廣告標牌設備公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售于一體的國內(nèi)高新企業(yè)。產(chǎn)品范圍包括:金屬雕刻機,標牌機,銘牌機,腐蝕機,蝕刻機,標牌設備,電鍍設備,電鑄機,電刷鍍機,鍍金機,堆金機,電泳設備,上色機,版畫機,打標機,拋光機,鋁氧化著色設備,數(shù)碼標牌設備,3D彩印打印機,大型3D熱轉移機,立體玻雕機等,我公司致力于高質量的產(chǎn)品和完善的技術服務活躍在各個領域。
點蝕對本書所討論的鋁合金表面紋理蝕刻的成因很重要,特別是對粗糙度較大的紋理蝕刻更為重要??梢哉f要研究鋁合金的化學紋理蝕刻,就必需首先研究鋁合金點蝕的形成機理,至少也應對點蝕的形成有深人了解。這也是研究鋁合金化學紋理蝕刻的理論基礎。
鋁合金點蝕的形成機理比較復雜,普遍認為主要是由電化學因素和表面結構不均勻因素所致。下面對這兩方面進行深人討論。
I.點蝕機理及影響點蝕的主要因素
點蝕形成的機理及影響點蝕的因素比較復雜,不同型號的合金材料,在不同電解質溶液中的表現(xiàn)也不盡相同,在此主要討論對紋理蝕刻有較大影響的相關機理和因素。
(1)點蝕機理點蝕主要由電解質溶液引起的電化學因素和由鋁合金材料本身特征引起的表面結構不均勻因素所致。
①電化學因素。當鋁合金浸人電解質溶液中時,鋁合金表面由于特定活化陰離子(如C1一等)的存在,促進了陽極反應的發(fā)生;而氧化劑的存在和具有低極化性能的有效陰極面積則促進陰極反應。此時,只要腐蝕電位達到或超過某一臨界值(即點蝕電位),就可能擊穿表面膜而導致點蝕的產(chǎn)生。
藍光同茂廣告標牌設備公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售于一體的國內(nèi)高新企業(yè)。產(chǎn)品范圍包括:金屬雕刻機,標牌機,銘牌機,腐蝕機,蝕刻機,標牌設備,電鍍設備,電鑄機,電刷鍍機,鍍金機,堆金機,電泳設備,上色機,版畫機,打標機,拋光機,鋁氧化著色設備,數(shù)碼標牌設備,3D彩印打印機,大型3D熱轉移機,立體玻雕機等,我公司致力于高質量的產(chǎn)品和完善的技術服務活躍在各個領域。
吸附機理這一觀點認為,鋁合金表面的點蝕主要發(fā)生在金屬表面的熱力學相對不穩(wěn)定處,或位錯缺陷處。這些部位比其他部位具有更高的活性,電解質溶液中的活性cl一更易在其表面吸附,并侵蝕氧化膜,使基體新鮮金屬在電解質溶液中。的金屬基體被電解液中活性C1一和其他氧化性離子腐蝕,形成點蝕。
這一過程分三步進行。
①第1步引發(fā)期。首先是在熱力學相對不穩(wěn)定處形成吸附中心,C1一在這一中心吸附,并不斷富集,為下一步鈍化膜的侵蝕提供足夠的活性離子。這一步如圖2-7吸附機理產(chǎn)生點蝕示意I所示。
②第二步氧化膜層侵蝕期。由于在活性中心有大量C1一吸附,使吸附中心處氧化膜穩(wěn)定性進一步降低,最終被Cl-溶解而破壞,導致氧化膜被侵蝕,出新鮮金屬,使電解液迅速進人被破壞處,從而導致點蝕的發(fā)生。